ИСТИНА

В настоящей работе с помощью оже-электронной спектроскопии было проведено исследование элементного состава многослойной системы C/Co/Cr, нанесенную на подложку из монокристаллического кремния. Оже-электронные спектры были получены на электронном оже-микрозонде Jamp-10S (Jeol, Япония) в режиме первой производной. Энергия падающего электронного потока составляла 10 кэВ, давление в камере анализа не хуже 10–7 Па, тип анализатора – цилиндрическое зеркало, разрешение ΔE/E=0.35, спектры получены с шагом 1 эВ. Для контроля элементной однородности пленок были исследованы образцы C/Si, C/Cr/Si, C/Co/Si синтезированные при тех же параметрах что и многослойная система. Проведено исследование элементного состава образцов с послойным травлением ионами аргона (параметры травления: ускоряющее напряжение ионов аргона 3 кэВ, время травления в каждом цикле 1 минута). Построена зависимость распределения химических элементов от глубины профилирования и определена средняя скорость травления наноразмерных металлических пленок.