Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Мемристивные свойства конденсаторных структур на основе оксида гафния
доклад на конференции
Авторы:
Швецов Б.С.
,
Мартышов М.Н.
,
Жигунов Д.М.
Всероссийская Конференция :
Российский форум "Микроэлектроника 2023"
Даты проведения конференции:
9-14 октября 2023
Дата доклада:
13 октября 2023
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
Швецов Б.С.
не указан
Швецов Б.С.
Мартышов М.Н.
Жигунов Д.М.
Место проведения:
г. Сочи, Russia
Добавил в систему:
Мартышов Михаил Николаевич