ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
На базе ускорителя HVEE-500 создана экспериментальная линия позволяющая проводить ионную имплантацию и изучать создаваемые структуры методом обратного резерфордовского рассеяния в сочетании с каналированием in-situ. Проведены эксперименты по внедрению тяжелых ионов (Ar,Fe,Xe и др) в монокристаллический кремний (110) с энергиями в диапазоне 100-300 кэВ при комнатной температуре. Облучение проводилось в направлении главной кристаллографической оси <110> и в направлении не содержащем выделенных каналов. В работе изучалось влияние направления имплантации, дозы и энергии на распределение примеси и профиль образованных дефектов методом обратного резерфордовского рассеяния в сочетании с каналированием