ИСТИНА

Топологические изоляторы представляют собой экзотическое состояние квантовой материи, заключающееся в том, что в объеме такие материалы являются узкозонными полупроводниками, в то время как их поверхность является металлической. Недавние теоретические предсказания и измерения фотоэлектронной спектроскопии показали [1-3], что группа V-VI материалов таких как Bi2Se3, Bi2Te3, Sb2Te3 и более сложные соединения как Bi2Te2Se являются ТИ, в энергетическом спектре которых наблюдается присутствие поверхностных состояний описываемых линейным законом дисперсии Дирака (конус Дирака) внутри запрещенной зоны. По прогнозам эти материалы проявляют интересные свойства на поверхности. В данной работе мы сообщаем о синтезе и характеризации сверхтонких Bi2Te2Se нанопластин с толщиной до нескольких нанометров и поперечным размером около (100-300) нм, выращенных с помощью (PVD - физическое осаждение из газовой фазы) метода синтеза. Низкотемпературные измерения образца показывают наличие эффекта сверхпроводящей близости ТИ (Bi2Te2Se) и сопряженных с ним сверхпродящими (Nb) ниобиевыеми контактами. На кривых dI/dV мы наблюдаем эффекты, которые могут быть связаны с многократными Андреевскими отражениями.