ИСТИНА

Наиболее доступный способ генерации оптических импульсов в лазерных диодах (ЛД) на основе полупроводниковых наногетероструктур это прямая накачка ЛД от источника импульсов тока. Однако, обеспечение требуемых уровней и временных параметров излучения ЛД при использовании внешних дискретных элементов, требует создания сложных импульсных генераторов, вследствие чего такие устройства являются дорогостоящими и не всегда достаточно эффективными.. Новым принципиальным решением проблемы накачки является монолитная интеграция тиристорного ключа, как генератора импульсного тока накачки, непосредственно с областью оптического усиления полупроводникового лазера, что обеспечивает автоматическое согласование полупроводникового лазера с низким последовательным сопротивлением с тиристорным ключом и подавление паразитных индуктивностей при коммутации наносекундных импульсов.