ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Были синтезированы тонкие пленки 3d-металлов (Co, Cr, Ti), подложка - монокристаллический кремний. Методом оже-электронной спектроскопии, совместно с профилированием ионами аргона малых энергий, исследовали качественный и количественный состав пленок. Методом АСМ измеряли глубину профилирования с помощью медной маски. Благодаря этому становится возможным определение средней скорости распыления тонких пленок. Были построены зависимости распределения химических элементов от глубины профилирования.