ИСТИНА

Современные методы позволяют решить многие проблемы, связанные с получением и исследованием новых материалов с заданными уникальными функциональными свойствами для различных областей технологии и инженерии. Примером являются стоящие перед технологами и разработчиками технических устройств задачи увеличения быстродействия и уменьшения энергопотребления (в части использования в электронных компонентах), увеличения эффективности процессов конверсии газов на составляющие (в части использования в каталитических приложениях). Одним из способов, позволяющих решить эти задачи, является разработка и внедрение новых подходов, связанных с получением функциональных материалов, сформированных в химически и электрически инертных пористых матрицах или на их поверхности. В данной работе методами сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, а также EXAFS-спектроскопии исследованы наноструктуры и наноструктурированные покрытия полупроводниковых (Ge, ZnS, ZnSe, ZnSSe, GaAs) и металлических (Fe, Co, Ni)материалов, осажденных методами термического и магнетронного напыления на матрицы пористого анодного оксида алюминия, в том числе, в зависимости от параметров пористой структуры матриц (диаметр пор и расстояния между ними, упорядоченность пористой структуры). Проведено сравнение с морфологией, локальной атомной и электронной структурой пленок, полученных на гладких подложках поликристаллического оксида алюминия (поликора), кремния и стекла. В результате проведенных исследований установлены различия в локальной атомной и электронной структуре, особенностях фазового и химического состава в образцах наноструктур полупроводников, осажденных напористый оксид алюминия по сравнению с пленками на гладких подложках, заключающиеся в лучшей стехиометрии и параметрах локального атомного окружения, более близких к кристаллографическим. Также установлено, что размеры и геометрической расположение наночастиц, из которых сформированы металлические покрытия, а также параметры локальной атомной структуры, коррелируют с параметрами матриц/подложек металлических покрытий, тогда как кристаллическая структура и фазовый состав практически не меняются и близки к кристаллографическим. Кроме этого, исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показали, что используемый в работе метод позволяет получать высокочистые нанопокрытия, наповерхности которых формируются естественные оксиды толщиной не более 10 нм