ИСТИНА

Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) являются перспективными материалами для создания элементов инфракрасной фотоники и оптической памяти благодаря их высокой прозрачности в инфракрасном диапазоне и возможности формирования оптически анизотропных лазерно-индуцированных периодических структур (ЛИППС) на их поверхности. В данной работе показана возможность создания ЛИППС с различными периодами (170–500 нм), глубиной и ориентацией, в том числе в виде иерархических структур, с помощью фемтосекундного лазерного излучения (Satsuma, 515 нм, 300 фс) на поверхности тонких пленок ХСП As2Se3 и As50Se50. Демонстрируется возможность управления оптической анизотропией сформированных ЛИППС при варьировании параметров облучения – энергии и числа импульсов, при этом достигаются величины оптического запаздывания не менее 30 нм.