ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Показаны особенности газофазного восстановления галогенидов с помощью цинка и кадмия при нанесении покрытий Mo, Ta, TaC при температурах от 800 до 1100К. При относительно низких температурах осаждения эффективнее использовать кадмий, а не цинк, летучесть которого существенно ниже. Применение цинка в качестве восстановителя возможно в процессах осаждения при пониженных давлениях.