|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Низкий разброс мемристивных характеристик нанокомпозитных структур (Co-Fe-B)x(SiO2)100-x с прослойкой LiNbO3доклад на конференции
- Авторы: Ильясов А.И., Емельянов А.В., Черноглазов К.Ю., Ситников А.В., Рыльков В.В., Форш П.А., Демин В.А.
- Всероссийская Конференция : Российский форум «Микроэлектроника»
- Даты проведения конференции: 23-27 сентября 2024
- Дата доклада: 26 сентября 2024
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Ильясов А.И.
- Место проведения: Федеральная территория «Сириус», Олимпийский проспект, дом 1, Россия
-
Аннотация доклада:
Изучены характеристики мемристоров на основе нанокомпозита (CoFeB)x(SiO2)100-x и слоя LiNbO3, в том числе напряжения переключений, устойчиовость к циклическим переключениям и их многоуровневый характер. Показана возможность плавного изменения резистивного состояния последовательностью одинаковых импульсов в зависимости от их количества, а также по биоподобным правилам STDP. Была предложена качественная модель резистивного переключения в изученных мемристорах. Продемонстрирована возможность построения нейроморфных сетей на основе данных мемристоров.
- Добавил в систему: Ильясов Александр Игоревич