Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
О возможности профилирования дефектов в широкозонных полупроводниках и диэлектриках с помощью катодолюминесценции
доклад на конференции
Авторы:
Иешкин А.Е.
,
Татаринцев А.А.
,
Зыкова Е.Ю.
,
Орликовская Н.Г.
Всероссийская Конференция :
IX Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (ФФХОИИ-2024)
Даты проведения конференции:
22-25 октября 2024
Дата доклада:
23 октября 2024
Тип доклада:
Стендовый
Докладчик:
Иешкин А.Е.
не указан
Иешкин А.Е.
Татаринцев А.А.
Зыкова Е.Ю.
Орликовская Н.Г.
Место проведения:
Нижний Новгород, Россия
Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
Модификация и анализ поверхности ионным облучением и электронная микроскопия
Добавил в систему:
Иешкин Алексей Евгеньевич