|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Деградация мощных инжекционных лазеров на основе кватоворазмерной структуры AlGaAs/InGaAsP/InGaAs с асимметричным волноводомдоклад на конференции
- Авторы: Коваль О.И., Соловьев Г.А., Ржанов А.Г., Кудрявцева Е.Д.
- Всероссийская Конференция (Семинар (workshop)) : XIV Всероссийская школа-семинар «Волновые явления в неоднородных средах»
- Даты проведения конференции: 26-30 мая 2014
- Дата доклада: 29 мая 2014
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Ржанов А.Г.
- Место проведения: М.О., Красновидово, Russia
-
Аннотация доклада:
Экспериментально изучены мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктуры AlGaAs/InGaAsP/InGaAs с квантовой ямой и асимметричным расширенным волноводом. Предложена физическая модель, объясняющая изменение их излучательных характеристик с течением времени наработки.
- Добавил в систему: Ржанов Алексей Георгиевич