Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001)Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора
доклад на конференции
Авторы:
Бурбаев Т.М.
,
Акмаев М.А.
Всероссийская Конференция :
Вторая Всероссийская конференция “Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника”
Даты проведения конференции:
28 сентября - 30 октября 2016
Дата доклада:
30 сентября 2016
Тип доклада:
Стендовый
Докладчик:
Акмаев М.А.
не указан
Бурбаев Т.М.
Акмаев М.А.
Место проведения:
ФИАН им. П.Н. Лебедева, Russia
Добавил в систему:
Акмаев Марк Александрович