ИСТИНА

Оптические свойства полупроводниковых наночастиц определяются их формой и линейными размерами, что делает такие объекты крайне привлекательными для практического применения в качестве материалов для солнечных элементов, светодиодов, биологических меток. Наряду с варьированием размеров и формы полупроводниковой наночастицы, создание наноразмерных полупроводниковых гетероструктур позволяет модифицировать электронные свойства материала, непосредственно управляя пространственным распределением носителей заряда. Недавно была показана возможность растворного синтеза квазидвумерных наночастиц халькогенидов кадмия. Однако в настоящий момент подходы к формированию гетероструктур на основе наночастиц с квазидвумерной геометрией разработаны в незначительной степени. Синтез квазидвумерных наночастиц CdTe/CdSe проводили в высококипящем неполярном растворителе октадецене-1 (ODE) в интервале температур от 170 до 240°C; для исследования кинетики роста проводился отбор проб через равные промежутки времени. В качестве катионного прекурсора использовали ацетат кадмия, анионным прекурсором являлась смесь 0,2М TOPSe и TOPTe, взятых в определенном мольном соотношении. Формирование наноструктур с квазидвумерной геометрией происходило при наличии ацетата кадмия в реакционной смеси. Характеризация полученных образцов проводилась с помощью методов оптической спектроскопии поглощения на приборе Varian Cary 50, просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) на электронном микроскопе LEO912 AB OMEGA. Различная реакционная способность теллурового и селенового анионных прекурсоров приводит к формированию нанопластин CdTe на первом этапе синтеза, последующий рост гетероструктуры осуществляется за счет осаждения CdSe на боковую поверхность квазидвумерной наночастицы. За счет механических напряжений, возникающих на границе раздела нанопластинки CdTe и осаждающегося слоя CdSe, формирование непрерывного домена невозможно, наблюдается островковый рост CdSe в виде усов, рис. 1. По результатам оптической спектроскопии можно сделать вывод, что при формировании усов (нитевидных доменов) CdSe в спектрах поглощения гетероструктур сохраняется экситонная полоса, отвечающая индивидуальным нанопластинкам CdTe, причем при увеличении линейных размеров доменов CdSe ее положение не меняется. В области низких энергий появляется полоса, которую можно отнести к переходу с переносом заряда, с увеличением размера формирующихся доменов CdSe наблюдается сдвиг этой полосы в красную область, при этом интенсивность ее увеличивается. В спектрах люминесценции наблюдается сдвиг в красную область и уширение экситонной полосы.