ИСТИНА

Уникальные функциональные свойства полупроводниковых наночастиц, связанные с эффектом размерного квантования, обуславливают все возрастающий интерес к этим объектам с точки зрения применения в качестве материалов для светоизлучающих диодов, солнечных батарей и биологических меток. Наряду с варьированием размеров и формы полупроводниковой наночастицы, создание наноразмерных полупроводниковых гетероструктур позволяет модифицировать электронные свойства материала, непосредственно управляя пространственным распределением носителей заряда. Недавно была показана возможность растворного синтеза квазидвумерных наночастиц халькогенидов кадмия. Однако в настоящий момент подходы к формированию гетероструктур на основе наночастиц с квазидвумерной геометрией разработаны в незначительной степени. Синтез квазидвумерных наночастиц CdTe/CdSe проводили в высококипящем неполярном растворителе октадецене-1 (ODE) в интервале температур от 170 до 230°C; для исследования кинетики роста проводился отбор проб. В качестве катионного прекурсора использовали ацетат кадмия, анионным прекурсором являлась смесь 0,2М растворов триоктилфосфина селенида (TOPSe) и триоктилфосфина теллурида (TOPTe), взятых в определенном мольном соотношении. Формирование наноструктур с квазидвумерной геометрией происходит при наличии ацетата кадмия в реакционной смеси [1]. Характеризация полученных образцов проводилась с помощью методов оптической спектроскопии поглощения на приборе Varian Cary 50, просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) на электронном микроскопе LEO912 AB OMEGA. В ходе работы была получена серия образцов наночастиц, синтезированных при мольном соотношении [TOPTe]:[TOPSe] = 4:1; 3:2; 1:1; 2:3 и 4:1. На рис.1а представлена микрофотография нанопластин CdTe/CdSe, полученных при мольном соотношении [TOPTe]:[TOPSe] = 1:1. Различная реакционная способность анионных прекурсоров приводит к формированию нанопластин CdTe на первом этапе синтеза, последующий рост гетероструктуры осуществляется за счет осаждения CdSe на боковую поверхность квазидвумерной наночастицы. За счет механических напряжений, возникающих на границе раздела нанопластины CdTe и осаждающегося слоя CdSe, наблюдается островковый рост CdSe в виде «усов». Согласно результатам оптической спектроскопии (рис.1б), в процессе формирования гетероструктуры CdTe/CdSe в спектрах поглощения сохраняется экситонная полоса в районе 500 нм, отвечающая индивидуальным квазидвумерным наночастицам CdTe. В области низких энергий появляется полоса, которую можно отнести к переходу с переносом заряда. С увеличением размера формирующихся доменов CdSe наблюдается сдвиг этой полосы в красную область, при этом интенсивность ее увеличивается примерно в 4 раза. В спектрах люминесценции всех образцов наблюдается сдвиг экситонных полос в красную область, а также их уширение.