ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Обнаружено рассеяние света в форме кольцевых структур, возникающее в кристаллах Sn2P2S6 при распространении излучения мощной накачки вдоль кристаллографической оси кристалла. Проходящее через кристалл излучение полностью рассеивается в конус, угол раствора которого растет с увеличением интенсивности накачки. Наблюдаемый эффект может быть объяснен самосогласованным ростом амплитуды объемных решеток показателя преломления и рассеянием на них света в направлениях, в которых фазовый набег фоторефрактивной природы компенсирует расстройку фазового синхронизма.