ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Изложена история создания светодиодов (СД) на основе GaN. Исследования СД на основе GaN на физическом факультете МГУ: спектры ЭЛ, туннельные эффекты, зависимость эффективности от тока, катодолюминесценция в РЭМ, электроотражение. Первые работы по белым СД, применения СД в светофорах. Исследования, разработки и производство светодиодов на основе GaN в мире. Эпитаксиальный рост структур InxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN. Компьютерное моделирование. Свойства GaN- светодиодов. Белые светодиоды. Исследования, разработки и производство СД в России. Совместные работы промышленных фирм с физическим фак-том МГУ. Всероссийские Конференции и Форумы. Проблемы светодиодного освещения. Значение для экономики и экологии. Программы и перспективы развития светодиодной промышленности.
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|---|---|---|---|---|
1. | Иллюстрация | Диплом А.Э.Юновичу за доклад на Вавиловских чтениях. | Izobrazhenie.jpg | 282,8 КБ | 27 ноября 2014 [YunovichAlexanderEmmanuilovich] |