ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Разработана оригинальная методика изготовления металлических электродов нанотранзистора с нанозазором менее 4 нм между ними с помощью контролируемой электромиграции предварительно подвешенных нанопроводов си-стемы. Разработан метод встраивания молекулы аурофильного производного терпиридина на основе родия между полученными электродами. Приведены харак-теристики электронного транспорта через систему, включающую указанную мо-лекулу, свидетельствующие о реализации режима коррелированного (одноэлек-тронного) туннелирования электронов.