Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate
доклад на конференции
Авторы:
Kulbachinskii V.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Lunin R.A.
,
and Maltsev P.P.
,
Losev G.D.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
,
Yuzeeva N.A.
Международная Конференция (Симпозиум) :
22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology
Даты проведения конференции:
2014
Дата доклада:
23 июня 2014
Тип доклада:
не указан
Докладчик:
не указан
Место проведения:
Saint Petersburg, June23-27
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич