ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В работе исследовались частицы SiC, полученные методом эндотаксии кремниевых нанонитей. Эта методика позволяет удешевить процесс получения наночастиц SiC. Задачей исследования являлось детектирование оптическими методами наличия карбидной фазы в образцах квантовых нанонитей, подвергнутых эндотаксии. Эндотаксия – процесс ориентированного выделения новой фазы в кристаллической решетке имеющееся фазы, происходящий в результате пересыщения последней диффундирующими от поверхности вглубь атомами соответствующего вещества или вследствие распада пересыщенного твердого раствора на основе кристаллической решетки подложки. В работе использовались методики комбинационного рассеяния света (КРС), отражения в инфракрасном (ИК) диапазоне и дифракция рентгеновских лучей. В результате исследований методом КРС в образцах, полученных методом эндотаксии, было обнаружено наличие кристаллической фазы карбида кремния кубической модификации. Данные, полученные методом дифракции рентгеновских лучей , согласуются с данными КРС. Метод дифракции рентгеновских лучей подтверждает наличие кубической модификации карбида кремния в образцах типа. Исследование образцов методом отражения в ИК диапазоне позволили получить дополнительную информацию о поверхностном покрытии кремниевых наноструктур, подвергнутых эндотаксии. Сравнение полученных спектров отражения со спектрами отражения кристаллического SiC позволяет утверждать, что данная методика позволяет детектировать наличие карбидной фазы в образцах.