|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Experimental and theoretical study of deformation fields around dislocation in silicon crystals using laboratory X-Ray sources.доклад на конференции
- Авторы: Zolotov D.A., Asadchikv V.E., Besedin I.S., Voloshin A.E., Chukhovski F.N., Iunin Yu L., Buzmakov A.V.
- Конференция : Meeting "Sapphire ultraoptics for synchrotron radiation". Helmholtz-Russia.
- Даты проведения конференции: 2014
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Moscow, Russia
- Добавил в систему: Асадчиков Виктор Евгеньевич