ИСТИНА

Цель работы. Целью работы было исследовать влияние величины удельного сопротивления пленки оксида индия, легированного оловом ITO (Indium Tin Oxide), на удельное сопротивление контакта ITO/металл в конструкции солнечного элемента LGCell [ ], в котором контакт к пленке ТСО осуществляется с помощью поволоки, покрытой низкотемпературным припоем. Подход. Для проведения эксперимента пленки ITO толщиной ~100 нм были нанесены на кремниевые подложки методом спрей пиролиза. Варьируя условия осаждения, получили пленки ITO с слоевым сопротивлением в диапазоне 40 – 1200 Ом/квадрат. Проволочные контакты к пленкам ITO сформировали методом LGCell. Удельное сопротивление контакта ITO/металл определили методом ISCRA [ ]. Научная новизна и практическая значимость. Тонкие наноструктурированные пленки прозрачных проводящих оксидов TCO (Transparent Conducting Oxides) используют в солнечных элементах (СЭ) в качестве антиотражающего покрытия, а также прозрачного электрода [1]. Кон-такт к этим пленкам осуществляют с помощью гребенки металлических контактов, площадь затенения которых должна быть минимизирована с целью увеличения эффективности СЭ. Кроме того, внутреннее последовательное сопротивление СЭ, которое является источником резистивных потерь, также должно быть минимизировано. Одной из важных составляющих последовательного сопротивления СЭ является сопротивление контакта металл/ТСО, величина которого должна зависеть от удельного сопротивления пленки ТСО. Анализ литературы показывает, что работ, направленных на исследование сопротивления контактов металл/ТСО, крайне мало [ ] и полученные результаты обладают научной новизной. Знание количественной зависимости удельного сопротивления контакта ITO/металл от удельного сопротивления пленки ITO позволит оптимизировать параметры СЭ и, соответствен-но, увеличить его эффективность. Результаты. Экспериментальная зависимость удельного сопротивления контакта ITO/металл от удельного сопротивления пленки ITO приведена на рисунке. Выводы. Обнаружено, что удельное сопротивление контакта ITO/металл резко растет с увеличением удельного сопротивления пленки ITO. Для достижения низкого последовательного сопротивления СЭ слоевое сопротивление пленки ITO (при толщине ~100нм) не должно превышать ~40 Ом/квадрат.