ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Самыми упорядоченными веществами являются кристаллы. Свойства, которые они проявляют важны. Поэтому их получению уделяют большое внимание. Мы решили рассмотреть теоретические основы роста крупных идеальных кристаллов и учли основные влияющие на это параметры в конструкции своего реактора для роста кристаллов. Целью работы является: смоделировать условия роста идеального кристалла в термостатируемом реакторе, управляемом микроконтроллером. Для достижения этой цели нами поставлены следующие задачи: 1) изучение литературы по теме «рост кристаллов»; 2) краткое описание основных положений теории роста кристаллов; 3) выбор основных факторов, влияющих на получение крупных кристаллов из раствора и их учет в конструкции реактора; 4) 3D-проектирование и 3D-печать корпуса реактора для роста кристаллов из раствора; 6) составление электрической схемы, включающей элементы Пельтье, микроконтроллер, радиатор, датчик температуры, образующих программируемую систему с обратной связью; 7) апробация устройства и получение кристаллов медного купороса, а также проведение двух контрольных экспериментов роста кристаллов без реактора.