![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В работе предложен метод детектирования протяженных поверхностных электронных состояний, включая топологиче-ские. Метод основан на измерениях фотоэлектромагнитного эффекта с использованием импульсного терагерцового лазерного излучения. В отличие от обычных транспортных измерений, метод нечувствителен к объемной проводимо-сти. Метод продемонстрирован на примере кристаллических топологических изоляторов Pb1-xSnxSe. Показано, что про-тяженные поверхностные электронные состояния присутствуют в Pb1-xSnxSe как в области прямого, так и инверсного энергетического спектра