Описание:1. Зонная структура полупроводников. Примесние полупроводники n- и p-типа. Невырожденные и вырожденные полупроводники. Прыжковая проводимость.
2. Явления электронного переноса. Удельная электропроводность примесного полупроводника. Процессы рассеяния электронов проводимости в полупроводнике. Гальваномагнитный эффект в немагнитных полупроводниках и магнетиках. Нормальный и аномальный эффект Холла.
3. Магнитные полупроводники: монооксид и монохалькогениды европия, халькогенидные шпинели – кристаллографические и магнитные свойства. Применение s-d модели к магнитным полупроводникам. Гигантский красный сдвиг края оптического поглощения и его связь с магнитным порядком. Понятие о ферронах. Свободные, примесные, индивидуальные и коллективные ферроны. Два вида неоднородных магнитных состояний в антиферромагнитных вырожденных полупроводниках.
4. Гигантский максимум электросопротивления и гигантские отрицательное и положительное магнитосопротивления в районе температуры Кюри в примесных ферромагнитных полупроводниках n-типа. Объяснение этих явлений существованием сильного s-d обмена и примесных ферронов. Электрические и гальваномагнитные свойства ферромагнитных полупроводников р-типа.
5. Экспериментальные доказательства магнитно-двухфазного состояния в вырожденных антиферромагнитных полупроводниках: низкотемпературный переход изолятор-металл под действием магнитного поля в EuSe, поведение электросопротивления, магнитосопротивления и изотерм намагниченности и фарадеева вращения в EuTe.
6. Переход металл-полупроводник в сильно легированных ферромагнитных полупроводниках EuO и CdCr2Se4 и его объяснение образованием коллективных ферронов при температуре перехода. Особенности этого перехода в EuO с дефицитом кислорода, в котором доноры двухзарядные.
7. Аномалии фотоэлектрического эффекта в слабо легированной галлием кадмий-хромовой халькошпинели. Спектр фотопроводимости в районе точки Кюри и действие на него магнитного поля. Гигантские отрицательное и положительное фотомагнитосопротивления в районе точки Кюри. Фотомагнитный эффект и его связь с изменением поля напряжений вблизи дислокаций под действием света.
8. Гигантский синий сдвиг края оптического поглощения в ферромагнитных полупроводниках CdCr2S4 и CиCr2S(4-х)Sex, связанный с ферромагнитным порядком. Его объяснение с помощью межзонного s-d обмена. Антиферронные состояния носителей тока в ферромагнитных полупроводниках с синим сдвигом ширины запрещенной зоны. Объяснение аномалий магнитных свойств CdCr2S4 и CuCr2S(4-х)Sex с помощью антиферронов.
9. Афмонные состояния носителей тока в антиферромагнитных полупроводниках с высокими температурами Нееля. Экспериментальные свидетельства их существования в антиферро-магнитных халькошпинелях хCoCr2Se4-(1-x) CuCr1.5Sb0.5S4.
10. Кристаллическая структура манганитов Re(1-x)AxMnO3 (A = La и др. РЗ-элементы, A = Ca, Sr, Ba); различные типы искажений структуры перовскита. Антиферромагнитная структура соединений LaMnO3, CaMnO3 и SrMnO3. Магнитные фазовые диаграммы лантановой системы. Двойной обмен Зинера в составах с 0.2 < х < 0.5. Кооперативный и динамический эффект Яна-Теллера. Зарядовое и орбитальное упорядочение. Колоссальное магнитосопротивление при комнатной температуре. Магнитно-двухфазное ферро-антиферромагнитное состояние и его экспериментальные доказательства. Зависимость кристаллической структуры от магнитного поля в La(1-x)SrxMnO3 и особенности теплового расширения и объемной магнитострикции в районе точки Кюри. Различные точки зрения относительно природы колоссального магнитосопротивления в манганитах.
11. Описание состояния “спиновое стекло”. Фрустрация связей. Магнитные свойства и данные нейтронной дифракции, при наличии которых материал считают спиновым стеклом. Основные законы частотной зависимости температуры замораживания. Состояние спинового стекла в разбавленных изоляторах с конкурирующими обменными взаимодействиями между первыми и следующими за ближайшими соседями. Магнитноконцентрированные спиновые стекла со знакопеременными обменными взаимодействиями между ближайшими соседями в полупроводниковых халькошпинелидах.
12. Спинтроника. Основные требования, предъявлямые к материалам спинтроники. Структура халькопиритов. Два типа магнитного упорядочения в халькопиритах, легированных марганцем.
13. Возможные применения магнитных полупроводников.