Описание:Узкощелевые полупроводники составляют особую группу прямозонных полупроводниковых материалов, обладающих целым рядом уникальных физических свойств и повышенной чувствительностью к внешним воздействиям, обусловленными прежде всего малостью запрещенной зоны, большими значениями спин-орбитального и спинового расщепления и сильной непараболичностью законов дисперсии носителей заряда. В курсе проводится классификация узкощелевых полупроводников, анализируются генезис электронного спектра, природа особых физические свойств и направления практического использования этих материалов. В рамках k•p метода систематически излагается теория электронной структуры основных групп узкощелевых полупроводников. Рассматриваются энергетический спектр мелких, глубоких и резонансных уровней дефектов и примесей, спектры оптического поглощения, магнитооптические явления и фотоэлектрические эффекты в полупроводниках.