Аннотация:В ходе выполнения данной дипломной работы были получены следующие результаты:
1. Проведен анализ литературных источников и сформулированы требования к подложкам нового типа, выбрано направление для дальнейших исследований.
2. Найдены режимы нанесения буферных слоев и слоя YBCO на плоские подложки кристаллического кварца при помощи магнетронного осаждения и метода лазерной абляции.
3. Показано, что на подложках кристаллического кварца возможно создать переходы с критической температурой более 85 К при ширине перехода 1,5 К в нулевом магнитном поле, что превышает результаты, известные из литературы в настоящее время.
4. Освоена и применена методика оценки основных критических параметров получаемых тонких пленок.
5. Получены оценки для следующих критических параметров:
Критическая температура пленки Tc = 87К
Плотность критического тока Jс = 5×104 А/см2
Второе критическое поле Hc2(0), достигающее максимума в 200 Тесла при сопротивлении образца 90% от нормального значения
Энергия активации магнитного поля U0/kB, уменьшающаяся с ростом магнитного поля, от 2820 К при 1 Т до 1540 К при 5 Т.
6. Полученные по разработанной методике значения ξ не противоречат установленным общепринятым данным, вышеизложенный метод оценки может быть успешно применен для характеризации образцов ВТСП пленок.
Автор выражает благодарность своему научному руководителю, Снигиреву Олегу Васильевичу за внимание, советы и помощь в работе, а также за полезные обсуждения, Порохову Н.В. за помощь в освоении оборудования для изготовления образцов.
Маресову А.Г. за помощь в обсуждении результатов, Левину Э.Е. за помощь в проведении и обсуждение результатов дифракционного анализа.