Аннотация:В работе были измерены температурные зависимости фотопроводимости и люкс-амперные характеристики пленок a-Si:H в широком интервале температур (130-480К) при различных интенсивностях освещения. Обнаруженные изменения могут быть обусловлены образованием фотоиндуцированных дефектов донорного типа: Оборванной связи рядом с Si-H связью, энергетические уровни которых расположены в верхней половине запрещенной зоны. Образование дефектов с малой скоростью отжига, образующие такие уровни, определяют гистерезис фотопроводимости.