Аннотация:Из литературы известно, что для сверхпроводниковых интерметаллидов на основе эндоэдрических кластеров существует зависимость между концентрацией валентных электронов (КВЭ), приходящихся на атом d-металла, способом упорядочения кластеров в структуре и сверхпроводящими свойствами. Таким образом, целью данной работы является поиск новых представителей в семействе интерметаллидов на основе эндоэдрических кластеров, исследование их кристаллической структуры и транспортных свойств и установление взаимосвязей между особенностями транспортных свойств и концентрацией валентных электронов для новых соединений. В качестве объектов исследования выбраны твёрдые растворы замещения на основе интерметаллида Mo8Ga41, а также соединения со структурой Mo4Ga20.5S0.5 с выбором других p-элементов.
В результате работы был разработан метод синтеза интерметаллидов на основе эндоэдрических кластеров из совместных высокотемпературных расплавов Ga/Zn, Ga/Sn. С помощью данного метода установлено существование твёрдых растворов замещения: Mo8Ga41-xZnx; Mo8Ga41-xSnx; а также синтезированы новые соединения: Mo7Ga52-xZnx и Mo4Ga21-x-δSnx. Новое соединение Mo7Ga52-xZnx является изоструктурным Mo7Sn12Zn40. Методом стандартного ампульного синтеза получены поликристаллические образцы новых соединений на основе эндоэдрических кластеров галлия Mo4Ga21-xEx для E = As, S, Se, Te. Для всех полученных соединений измерены температурные зависимости сопротивления. Соединения Mo4Ga21-xEx, где E = Sn, As, Ch, проявляют сверхпроводящие свойства в области низких температур. Обнаружена корреляция между критической температурой и КВЭ в семействе интерметаллидов MonGa5n+1 для n = 8, 6 и 4.