Исследование структурных и оптических свойств ансамблей кремниевых нанонитей, полученных металл-стимулированным химическим травлением с использованием фторида аммония - дипломная работа | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Научный руководитель: Гончар К.А.
Автор: Китаева В.Ю.
Тип: Магистр
Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
Год защиты: 2018
Аннотация: Наноструктурные полупроводники являются ключевыми материалами современной электроники. Несмотря на значительные прорывы в исследованиях, кремний остается одним из наиболее привлекательных субстратов для изготовления наноструктур. Известно, что кремниевые наноструктуры считаются перспективными кандидатами в наноэлектронике, оптоэлектронике, сенсорике, биологии, медицине и других областях науки и техники в связи с их уникальными физическими свойствами, простыми и экономичными методами их получения. В последние годы большой интерес представляет изучение таких наноструктур как пористый кремний (ПК) и кремниевые нанонити (КНН). Это связано с широкой областью их применения. Существуют различные способы получения КНН. Изначально КНН получались методом пар-жидкость-кристалл (ПЖК) с использованием благородного металла (в основном золота). Одной из альтернатив этого метода является метод металл-стимулированного химического травления (МСХТ). Однако используемая в стандартном методе МСХТ плавиковая кислота (HF) чрезвычайно токсична. Поэтому большой интерес представляет исследование возможности модификации метода МСХТ без использования HF при сохранении оптических свойств получаемых КНН. Альтернативным способом изготовления КНН без использования HF является замена HF на более экологически чистый и безопасный фторид аммония (NH4F). Соответственно, целью данной работы являлось получение КНН более безопасным способом и изучение их оптических свойств.
Добавил в систему: Гончар Кирилл Александрович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Прикрепленные файлы