|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Раствор-расплавная кристаллизация иттрий–алюминий-галлиевых боратовдипломная работа (Бакалавр)
- Научный руководитель: Мальцев В.В.
- Автор: Мелехова Мария Дмитриевна
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2004
- Аннотация: Большинство кристаллов тугоплавких боратов с общей формулой RAl3(BO3)4, где R - иттрий или редкоземельный элемент, изоструктурны малораспространенному карбонатному минералу хантиту CaMg3(CO3)4 (Ballman A 1962). Безводные бораты этого семейства в природе пока не обнаружены, хотя минерал близкого состава недавно был открыт итальянскими исследователями [21]. Следовательно, изучение этой группы боратов представляет и определенный минералогический интерес (накопление знаний о генезисе близких по составу природных прототипов). Несмотря на то, что первые кристаллы боратов получены около сорока лет назад, остается проблема низкой скорости роста: два - три сантиметра за несколько месяцев из-за низкой концентрации раствор-расплава - 15-20 вес. %. Данная работа посвящена спонтанной раствор-расплавной кристаллизации YAl3(BO3)4, Y(Al0.9Ga0.1)3(BO3)4, Y(Al0.95Ga0.05)3(BO3)4, Y(Al0.85Ga0.15)3(BO3)4, Y(Al0.8Ga0.2)3(BO3)4, Y(Al0.60Ga0.4)3(BO3)4, их изучению, а также выращиванию на затравку чистых кристаллов YAl3(BO3)4 и с примесью иттербия. Бораты с примесью Ga в позициях Al ранее не изучались и не выращивались. Примесь Ga вводится для повышения растворимости боратов. А примесь иттербия - как активный элемент для лазеров.
- Добавил в систему: Мальцев Виктор Викторович