|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Изготовление и исследование высокотемпературных одноэлектронных транзисторовдипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Солдатов Е.С.
- Автор: Жарик Г.А.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2015
- Аннотация: В данной работе описано создание высокотемпературных (с рабочей температурой 77 К и выше) одноэлектронных транзисторов и их исследование. В итоге были получены следующие основные результаты: ● методами электронно-лучевой литографии изготовлены системы тонких (14 нм) и узких (60 нм) золотых нанопроводов, служащих основой электродной системы одноэлектронных транзисторов; ● методом электромиграции атомов золота в изготовленных нанопроводах получены нанозазоры удовлетворительной ширины (2-4 нм) с выходом годных 95%; ● методом гравитационного осаждения наночастиц диаметром 2-4 нм в полученный зазор были изготовлены одноэлектронные транзисторы на плоской подложке. Исследование их электрических характеристик при температуре 77 К показало реализацию одноэлектронного режима туннелирования со значением кулоновской блокады около 300 мВ. Измерения, проведенные при комнатной температуре (300 К), показали наличие кулоновской блокады на ВАХ, что свидетельствует о реализации одноэлектронного режима туннелирования при столь высоких температурах; ● разработан метод электронно-лучевой литографии на существенно искривленных поверхностях на основе разработанной технологии термического вакуумного напыления низкомолекулярного (молекулярная масса 1.2 кг/моль) полистирола в качестве резиста; ● разработан метод “сухого” термического вакуумного проявления напыленного резиста. Показано, что такой метод существенно улучшает чистоту поверхности получаемых наноструктур; ● получены золотые и кремниевые структуры с использованием напыляемого резиста с характерными размерами порядка 10 нм; ● разработана методика формирования подводящих нанопроводов на кантилевере и затвора непосредственно на игле кантилевера с радиусом закругления порядка 30 нм; ● разработан метод теневого напыления золота на грани иглы. Полученный в результате зазор между электродами на вершине пирамиды составляет около 3 нм.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич