|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Изготовление планарных высокотемпературных одноэлектронных транзисторов и исследование их структурных и электронных свойствдипломная работа (Бакалавр)
- Научный руководитель: Солдатов Е.С.
- Автор: Галстян А.Г.,
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2015
- Аннотация: В данной работе было проведено исследование по разработке усовершенствованной системы изготовления одноэлектронных транзисторов с высокой рабочей температурой. В итоге были получены следующие результаты: 1) Освоена технология получения планарной системы нанопроводов с минимальным размером 60 нм. 2) Разработана автоматизированная программа для проведения процесса электромиграции с помощью системы сбора экспериментальных данных ADwin Gold. Проведение серии испытаний программы на изготовленных нанопроводах дали следующие результаты: • Максимальная задержка, с которой система реагирует на изменение сопротивление образца, составляет 12 мкс, что существенно повышает управляемость процесса получения предельно малых зазоров. • Стабильное получение зазоров размером 2-4 нм получается в 95% попыток. Размер зазоров в 2-4 нанометра является оптимальным как для осаждения золотых наночастиц, так и для дальнейших испытаний с молекулами. 3) С помощью метода гравитационного осаждения был получен транзистор с золотой наночастицей, выступающей в качестве острова. Затем при температуре 77 К были измерены вольтамперные характеристики и двумерная диаграмма стабильности. Последняя имеет типичный для одноэлектронного туннелирования вид, что свидетельствует о реализации одноэлектронного транзистора. Кроме того, на основе теории одноэлектронного туннелирования был оценен размер острова, получившийся около 2.8 нм, что хорошо согласуется с размером осаждаемых частиц (2-4 нм) и так же, как вид диаграммы стабильности, подтверждает вывод о коррелированном характере туннулирования электронов в транзисторе. 4) Разработана и собрана установка для осаждения частиц с помощью процесса электротреппинга. 5) Проведена серия испытаний по электротреппингу частиц с помощью разработанной установки и показана возможность осаждения частиц в нанозазоры данным методом. При этом выявлена большая чувствительность процесса к чистоте химикатов, что показывает необходимость в дальнейшей оптимизации процесса.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич