Аннотация:Цинкит ZnO в силу своих уникальных свойств относится к числу перспективных материалов для самых прогрессивных технических устройств разнообразного назначения. Сочетание таких физических и химических характеристик, как анизотропная кристаллическая структура, наличие полупроводниковых свойств при большой ширине запрещенной зоны, люминесцентность, фоточувствительность, радиационная стойкость, фотопроводимость, амфотерные химические свойства и т.д. делают этот материал поистине уникальным. Кроме того, монокристаллы ZnO могут использоваться в аппаратуре для контроля различных величин, например, напряженного состояния механических конструкций, в дефектоскопии в широком диапазоне температур, в частности, при измерении переменных и квазистатических давлений.
Кроме этого, цинкит является перспективным материалом для изготовления подложек для эпитаксиального роста тонких плёнок нитрида галлия, а твердые растворы на основе ZnO – MgO по своим кристаллохимическим показателям могут использоваться для эпитаксиального наращивания GaAlN. Поскольку подобные эксперименты часто проводятся при высоких температурах, необходимо знать интервал, в котором цинкит остаётся стабильным, а его структура не претерпевает фазовых переходов.