Аннотация:При комбинированном воздействии освещения и одноосной деформации на гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs в области температур ниже 5 К наблюдалось появление активационной проводимости. Эффект качественно объясняется наличием глубоких донороподобных центров, расположенных вблизи гетерограницы.