|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Изучение спиновых центров в нанокристаллических полупроводниковых материалах на основе оксидов олова и цинкадипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Константинова Е.А.
- Автор: Гришина Д.А.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2012
- Аннотация: Методом электронного парамагнитного резонанса были исследованы серии образцов на основе нанокристаллического диоксида олова: чистый SnO2, модифицированный палладием SnO2-Pd, модифицированный рутением SnO2-Ru, а также на основе оксида цинка, допированного галлием ZnO/Ga с различной концентрацией. В исходных образцах нанокристаллического диоксида олова были обнаружены спиновые центры следующих типов: O2-, OH• радикалы. В модифицированных палладием и рутением образцах наблюдалось появление новых центров: Pd3+ и Ru3+, соответственно. Было исследовано влияние адсорбции молекул воды на природу и концентрацию спиновых центров нанокристаллического диоксида олова. Обнаружено, что при выдержке всех исследуемых образцов диоксида олова в насыщенных парах воды происходит увеличение концентрации OH-радикалов. Причем максимальный эффект достигался в модифицированных образцах (в 2-3 раза). Усиленную диссоциативную хемосорбцию молекул воды можно объяснить каталитическим действием PdOx и RuOy. В образцах исходного оксида цинка были обнаружены следующие спиновые центры: мелкие доноры, аксиально симметричные положительно заряженные кислородные вакансии (VO+), неаксиально симметричные отрицательно заряженные бивакансии цинка (VZn-)2-, аксиально симметричные отрицательно заряженные вакансии цинка (VZn-), комплексы: отрицательно заряженные вакансии цинка/междоузельные атомы цинка неаксиальной симметрии (VZn-:Zni0). При легировании оксида цинка галлием наблюдалось немонотонное изменение концентрации донорных состояний. Такое поведение концентрации можно объяснить переходом данных дефектов в непарамагнитное состояние путем, например, образования непарамагнитных пар. Установлено, что дополнительное легирование оксида цинка с галлием приводит к образованию новых парамагнитных центров типа N2–.
- Добавил в систему: Константинова Елизавета Александровна