|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Излучательные характеристики квантоворазмерной области полупроводниковых лазеровдипломная работа (Бакалавр)
- Научные руководители: Туркин А.Н., Багаев Т.А.
- Автор: Ерохин Михаил Михайлович
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2017
- Аннотация: Лазеры с длиной волны излучения 808 нм используются в таких областях как накачка активных сред твердотельных лазеров, дальнометрия, локация, и волоконно-оптические линии связи (ВОЛС). Данные приборы требуют для своего решения создания полупроводниковых излучателей с высокой выходной мощностью и длительным сроком службы. Практическая реализация указанных приборов сталкивается с необходимостью выбора оптимальной системы материалов для изготовления лазерных гетероструктур. Преимуществом структур AlGaAs/GaAs является возможность их выращивания без возникновения напряжений в кристалле, т.к. параметры решетки данных материалов очень близки (5,65Å для GaAs и 5,66Å для AlAs). Из-за высокого сродства к кислороду алюминий очень легко образует окисные соединения (одни из самых прочных связей), которые в свою очередь являются центрами безызлучательной рекомбинации. Аналогом данной структуры является система GaAsP/GaAs. Здесь уже не возникает проблем с окислением, но возникает сложность выращивания таких структур. Связанно это с тем, что параметры решеток барьерного слоя и квантовой ямы GaAsP различны, что приводит к возникновению напряжений в кристалле (элементарная ячейка барьерного слоя и ячейка квантовой ямы различны, т.е. не наследуются от слоя к слою), что затрудняет рост таких гетероструктур. Могут образовываться переходные слои на границе между квантовой ямой и волноводом. В данной работе проводилась попытка сравнения люминесцентных свойств гетероструктур на основе AlGaAs с квантовой ямой AlхGa1-хAs и с квантовой ямой GaAsxP1-x.
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич