Аннотация:Исследована кинетика изменений фотопроводимости нелегированных пленок a-Si:H с малой концентрацией оборванных связей кремния и высокой фоточувствительностью.Установлено, что кинетика изменения фотопроводимости в интервале температур 180-350К соответствует мономолекулярному механизму образования оборванных связей. Обсуждается природа наблюдаемых эффектов.