Аннотация:Установлено, что высокоомные нелегированные и слабо легированные бором пленки a-Si:H n-типа имеют высокую фоточувствительность. Получено, что при освещении высокоомных пленок a-Si:H белым светом образуются быстрые и медленные фотоиндуцированные дефекты.