Аннотация:Исследовано влияние спектрального состава излучения на температурную зависимость фотопроводимости, а также влияние предварительного освещения на температурные зависимости темновой проводимости и фотопроводимости нелегированных пленок a-Si:H. Наблюдаемые закономерности можно объяснить возникновением при освещении оборванных связей кремния, которые в зависимости от положения уровня Ферми, будучи многозарядными состояниями, действуют как доноры или акцепторы и сдвигают уровень Ферми вверх или вниз от начального положения.