Аннотация:Исследована кинетика изменения фотопроводимости нелегированных пленок a-Si:H при освещении их белым светом разной интенсивности при повышенных температурах 340-440К, когда одновременно протекают два процесса: образование и отжиг оборванных связей кремния. Проведен анализ и обсуждение полученных результатов.