Аннотация:Работа состоит из введения, двух глав, результатов и списка использованной литературы.
Во введении раскрывается актуальность выбранной темы, область применения, цель и задача данной диссертации.
В первой главе представлен литературный обзор, в котором описана история возникновения современного направления в электронике – спинтроники. В ней перечислены теории и эффекты, которые в настоящее время дают достаточно полное представление об электронном транспорте с учетом спина. Важный эффект, который изучался на протяжении уже полувека с начала его открытия в 1975 году М. Жульером – это туннельное магнетосопротивление. Собраны основные теоретические и экспериментальные работы на эту тему, и было показано с какими сложностями сталкивались исследователи в теоретическом описании данного явления. Также, описан эффект переноса спинового крутящего момента (спинового торка), который генерирует магнитные возбуждения в туннельной магнитной наногетероструктуре при протекании через неё электрического тока и даже способен изменить направление намагниченности одного из магнитных слоёв. Описано квазиклассическое приближение ВКБ (Вентцеля-Крамерса-Бриллюэна), которое используется в большинстве теоретических работ и позволяет получить несложный аналитический результат и дать физически прозрачную интерпретацию, но имеем ряд ограничений. Также представлены фазовые диаграммы стабильности и их способы их построения.
Во второй главе описаны: теоретическая модель задачи туннелирования, получение точных (не приближённых) волновых функций, токов и спиновых торков. Результаты решения этой задачи используются для нахождения недостающих параметров в уравнении Ландау Лифшица с дополнительными слагаемыми, которое позволяет смоделировать динамику магнитного слоя в туннельной структуре и построить её диаграмму стабильности.
В результате были получены зависимости, которые наглядно демонстрируют существенные отклонения приближенного решения от точного при высоких напряжениях. Были построены диаграммы стабильности с использованием точного решения задачи в приближении свободных электронов, из которых получены критические значения магнитного поля и напряжения для переключения ячейки памяти MRAM. Приведен сравнительный анализ полученного решения и установлены критерии применимости ВКБ приближения.
Работа содержит 40 страниц машинописного текста, 10 рисунков, 1 диаграмму. Для написания использованы 35 источников.
