|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Получение тонких плёнок гексагонального LuFeO3 и гетероструктур на его основе методом MOCVD и их исследованиедипломная работа (Бакалавр)
- Научные руководители: Нигаард Р.Р., Кауль А.Р.
- Автор: Осипова Ю.А.
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2020
- Аннотация: Сконструировано и апробировано принципиально новое питающее устройство для подачи летучих прекурсоров в MOCVD системы; изучены его особенности и оптимизирован режим работы; показана эффективность его применения при получении тонких плёнок модельной системы СеО2(100)//α-Al2O3(1-102). Подтверждено, что плёнки эпитаксиально стабилизированной фазы h-LuFeO3 могут быть получены на подложках YSZ, срезанных как по плоскостям (111) с гексагональной симметрией (111), так и по плоскостям (100) с квадратной симметрией. Показано, что критическая толщина фазы h-LuFeO3, стабилизированной на YSZ(100) меньше, чем на подложке YSZ(111), что находится в соответствии с природой эпитаксиальной стабилизации. Впервые показана возможность in situ роста методом MOCVD плёнок фазы LuFe2O4 в эпитаксиальном композите с пленками фазы h-LuFeO3; выдвинуты физико-химические объяснения этого необычного явления. Получены плёнки h-LuFeO3 на проводящих подслоях платины с различной микроструктурой: на моновариантном Pt(111)/YSZ(111) и бивариантном Pt(111)/YSZ(100), состоящем из ротационных доменов двух типов. Показана возможность направленного изменения размера поляризационных доменов и величины пьезоэлектрического отклика в пленках h LuFeO3 путем изменения вариантности проводящего подслоя платины.Получены тонкоплёночные композиты LuFe2O4/LuFeO3 на подложке YSZ(111), LuFeO3/Fe3O4/LuFeO3 на подложках YSZ(111) и YSZ(100), а также проводящем подслое Pt(111); наноструктура и свойства композитов представляют предмет дальнейшего изучения.
- Добавил в систему: Кауль Андрей Рафаилович