Аннотация:Целью данной работы является разработка подходов к синтезу высококачественных
эпитаксиальных тонких пленок LuFe2O4 с использованием метода химического осаждения из
паров бета-дикетонатов (MOCVD) в сочетании с восстановительными отжигами в
присутствии геттеров, а также определение области высокотемпературной устойчивости
тонких пленок LuFe2O4 и ее сравнение с автономным состоянием.