Аннотация:Основным типом спиновых центров в исследуемых образцах является оборванная связь Si в аморфных вкраплениях. Вычислена концентрация дефектов образцов с различной степенью релаксации:
Образцы с меньшим содержанием дислокаций (с меньшей степенью релаксации) характеризуются большей концентрацией точечных дефектов.
Обнаруженные спиновые центры принадлежат исключительно слоям Si-Ge, поскольку контрольные эксперименты методом ЭПР показали отсутствие спиновых центров в подложке, на которую нанесены исследуемые слои. Дополнительным аргументом является также экспериментальный факт зависимости интенсивности амплитуды сигнала ЭПР от степени релаксации образцов.