ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА ИНТЕРФЕЙСЫ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ Si / SiGe МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИдипломная работа (Бакалавр)
Аннотация:Работа О.В. Иванова посвящена исследованию параметров гетероэпитаксиальных полупроводниковых структур до и после отжига, анализ эволюции интерфейсов в процессе, который имитирует технологические условия создания FinFET транзисторов. Рентгеновские методы являются весьма актуальными при исследовании параметров структуры различных систем. В их числе и отдельные наночастицы, и нанокомпозиты, и макромолекулы. Эти методы могут быть применены для исследования органических наносистем, сложных полимеров, кристаллических упорядоченных структур, в частности, гетероэпитаксиальных структур на основе кремния.