Аннотация:Цель настоящей магистерской работы – создание наноструктур на основе ZnO и углеродных материалов (графен, оксид графена) и изучение их структурных и электронных свойств.
В ходе данной работы был синтезирован оксид графена, который затем был обработан в восстановительной среде. Методами ПЭМ, АСМ и КР-спектроскопии было показано, что оксид графена имеет слоистую структуру. Средняя толщина частиц составила 1,5 нм, а средняя площадь ~20 мкм2. Измеренное в работе электросопротивление оксида графена падает при увеличении температуры, что говорит о полупроводниковом характере оксида графена. С помощью сканирующей электронной микроскопии в режиме наведенного тока была исследована планарная структура оксида графена на подложке Si/SiO2 с предварительно нанесенными алюминиевыми контактами. При подаче на такую структуру формирующего напряжения происходит миграция функциональных групп в оксиде графена и формирование барьерного запирающего слоя. При подаче обратного напряжения наблюдается переключение структуры из высокоомного в низкоомное состояние. Значение тока при переключении возрастает на 3 порядка и ограничивается сопротивлением латеральной структуры. Была показана возможность роста массива стержней ZnO с контролируемой морфологией по заданному шаблону на подложке с использованием фотолитографии. Такой подход представляет интерес для проведения электрических измерений на структурах с оксидом цинка с заданной и хорошо контролируемой геометрией. Было установлено, что при УФ-облучении структуры ZnO/графен электросопротивление структуры росло, что говорило о фотокаталитическом окислении оксидом цинка графеновой подложки. Вольтамперная характеристика этой структуры демонстрировала эффект резистивного переключения, что также может свидетельствовать о фотокаталитическом окислении графена до оксида графена.