Аннотация:УНТ являются одним из наиболее перспективных материалов для создания углеродной наноэлектроники. Симметричное цилиндрическое строение позволяет формировать из нанотрубок функциональные нелинейные элементы – диоды и транзисторы. Однако целенаправленные наноразмерные воздействия, которые необходимы для создания специально модифицированной структуры в нанотрубках достаточно сложны и требуют серьезных исследований и дорогостоящего оборудования. Одним из относительно простых методов, который позволяет модифицировать строение УНТ и менять их физические свойства, является ионное облучение. Ионное облучение влияет на структуру УНТ следующим образом: создаются точечные и протяженные дефекты, а также происходит ионная имплантация в меж- и внутритрубочное пространство.
Для облучения УНТ наиболее технологичны ионы благородных газов средних энергий, поскольку с их помощью удается не только разрушать стенки УНТ, образуя при этом точечные дефекты и деформацию структуры УНТ в целом, но и сшивать соседние УНТ за счет образования прочных ковалентных связей распыленными углеродными атомами со стенками нанотрубок.