|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Использование края многослойной тонкопленочной системы "металл-изолятор-металл" для изготовления электродов молекулярного транзисторадипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Солдатов Е.С.
- Автор: Паршинцев А.А.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2011
- Аннотация: Дипломная работа Паршинцева А.А. посвящена проблеме создания молекулярного транзистора на основе «сэндвичевой» структуры, использующей вертикальную тонкопленочную систему "металл-изолятор-металл". В работе сделан практически полный цикл исследований первого этапа разработки матрицы нанотранзисторов с вертикальной структурой. Автором проделана большая и весьма актуальная экспериментальная работа по разработке, изготовлению и исследованию топологии наноструктур. Разработан и реализован метод изготовления электродов молекулярного транзистора, в котором зазор между электродами определяется толщиной слоя диэлектрика Al2O3 порядка 15 нм, напыленного между ними. Показано, что изготовленные предложенным методом электроды, обеспечивают достаточно надежную изоляцию верхнего электрода от нижнего с сопротивлением утечки порядка 5 1010 Ом. Разработана методика нанесения и иммобилизации отдельных наночастиц в области нанозазора. Показано, что использованные наночастицы золота имеют размер в диапазоне от 5 до 20 нм, что сопоставимо с размером зазора и на их основе возможно применение предложенного и реализованного метода для изготовления молекулярного транзистора. Исследовано изменение проводимости наноструктур после осаждения наночастиц в области нанозазора.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич