Аннотация:Разработан алгоритм численного расчета термоэлектрических характери-
стик полупроводника с изотропным неквадратичным законом дисперсии
Лэкса с учетом трех энергетических зон: проводимости, легких и тяжелых
дырок при рассеянии электронов по трем основным каналам: на оптических фононах, акустических фононах и заряженных примесях.
Написана и отлажена программа, реализующая данный алгоритм.
С ее помощью рассчитаны зависимости электропроводности, теплопровод-
ности, термоэдс и термоэлектрической добротности в широком диапазоне
температур и уровня легирования в полупроводниковом PbTe n- и p-типа.